Indium(III) oksida

Indium(III) oksida merujuk kepada sebatian kimia indium dengan sebatian kimia In₂O₃. Sebatian ini merupakan sebatian oksida amfoterik.

Penghasilan

Indium(III) oksida pukal boleh dihasilkan melalui pemanasan indium(III) hidroksida, nitrat, karbonat atau sulfat.

Tindak balas

Pada 700 °C, indium(III) oksida bertukar kepada indium(I) oksida, In₂O dan terurai pada 2000 °C. Sebatian ini larut dalam asid tetapi tidak dalam alkali. Pada suhu tinggi, indium(III) oksida bertindak balas dengan ammonia untuk membentuk indium nitrida.

$\mathrm{I}\mathrm{n}{\phantom{A}}_2\mathrm{O}{\phantom{A}}_3+2\mathrm{N}\mathrm{H}{\phantom{A}}_3⟶2\mathrm{I}\mathrm{n}\mathrm{N}+3\mathrm{H}{\phantom{A}}_2\mathrm{O}$

Penggunaan

Dalam bidang elektronik, indium(III) oksida digunakan dalam semikonduktor sebagai semikonduktor jenis-n dan sebagai unsur perintang dalam litar bersepadu.